О.Н. Горшков’s scientific contributions

What is this page?


This page lists works of an author who doesn't have a ResearchGate profile or hasn't added the works to their profile yet. It is automatically generated from public (personal) data to further our legitimate goal of comprehensive and accurate scientific recordkeeping. If you are this author and want this page removed, please let us know.

Publications (23)


Резистивное переключение мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур p-Si/p-Ge/n-=SUP=-+-=/SUP=--Si(001) с Ru- и Ag-электродами
  • Article

January 2023

·

15 Reads

Письма в журнал технической физики

Д.О. Филатов

·

О.Н. Горшков

·

В.Г. Шенгуров

·

[...]

·

А.В. Круглов

Исследованы электрические характеристики лабораторных макетов мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур p-Si/p-Ge/n ⁺ -Si(001) с Ag- и Ru-электродами. Мемристоры с Ru-электродами демонстрируют меньшее напряжение электроформовки и большее отношение токов в состояниях с низким и высоким значениями сопротивления по сравнению с мемристорами с Ag-электродами. Также в мемристорах с Ru-электродами обнаружена инверсия полярности резистивного переключения. Указанные эффекты обусловлены большей подвижностью ионов Ru ³⁺ в прорастающих дислокациях в слоях p-Si/p-Ge вследствие их меньшего ионного радиуса. Ключевые слова: мемристор, эпитаксиальные слои SiGe, резистивное переключение.


Изучение оптически наведенного заряда наночастиц Au в пленках ZrO-=SUB=-2-=/SUB=-(Y) методом сканирующей Кельвин-зонд микроскопии

January 2022

·

11 Reads

Журнал технической физики

Accumulation and relaxation of optically induced electric charge in ZrO2(Y) films with embedded single-layered arrays of Au nanoparticles (NPs) of 2-3 nm in diameter have been studied subject to the depth of the Au NPs in the ZrO2(Y) layers and the optical excitation power at the wavelengths of 473 and 633 nm by Scanning Kelvin Probe Microscopy (SKPM).


МЕМРИСТОРЫ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР SIGE

October 2021

·

9 Reads

Nanoindustry Russia

Получены лабораторные макеты мемристоров на основе структур Ag / Ge / Si(001) и Ag / Si / Ge / Si(001), принцип действия которых основан на электромиграции ионов Ag+ по дислокациям, прорастающим через слои структур. Исследованы особенности механизма резистивного переключения и процессы деградации мемристоров.


Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO-=SUB=-2-=/SUB=-(Y)

January 2021

·

12 Reads

Письма в журнал технической физики

In thin ZrO2 (Y) / Ni films, with used of an atomic force microscope (AFM) probe, conductive ferromagnetic filaments of nanometer sizes, consisting of Ni atoms, are formed. Memristor structures based on such films, the upper electrode of which was the AFM probe, demonstrated bipolar-type resistive switching (RP) associated with the destruction and reduction of Ni filaments. The area where the conducting filament emerges on the surface of the ZrO2 (Y) film manifested itself in the magnetic force image as a single-domain ferromagnetic particle.


Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO-=SUB=-2-=/SUB=-(Y) с наночастицами Au

January 2021

·

20 Reads

Физика и техника полупроводников

Исследовано влияние оптического излучения видимого диапазона на резистивное переключение в МДП-структурах ITO/ZrO 2 (Y)/n-Si, в том числе с наночастицами Au, встроенными в слой ZrO 2 (Y). Обнаружено, что зависимость ширины логического коридора резистивных состояний от интенсивности фотовозбуждения имеет пороговый характер. При увеличении интенсивности фотовозбуждения выше порогового значения наблюдалось уменьшение ширины логического коридора, предположительно, связанное с разогревом активных слоев МДП-структуры при межзонном поглощении излучения в Si-подложке. Обнаружено подавление резистивных переключений при фотовозбуждении на длине волны 650 нм (соответствующей плазмонному резонансу в наночастицах Au) за счет плазмонного оптического поглощения в наночастицах. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, МДП-структуры, стабилизированный диоксид циркония, наночастицы Au, фоточувствительность.


Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO-=SUB=-2-=/SUB=-(Y)/Ni

January 2021

·

13 Reads

Журнал технической физики

Экспериментально изучен эффект резистивного переключения отдельных ферромагнитных филаментов мемристорных структур на основе функциональных слоев ZrO 2 (Y)/Ni. В качестве верхнего прижимного электрода виртуальной мемристорной структуры выступал проводящий зонд атомно-силового микроскопа. Обнаруженные особенности резистивного переключения биполярного типа связаны c разрушением и восстановлением филаментов, содержащих атомы Ni, в диэлектрической пленке ZrO 2 (Y) и предположительно обусловлены разной степенью металлизации филамента. Сформированные филаменты проявляются на изображениях, полученных с помощью магнитно-силовой микроскопии, как однодоменные ферромагнитные частицы. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, атомно-силовая микроскопия, ферромагнитные филаменты.


МЕМРИСТИВНЫЕ УСТРОЙСТВА ПОД ДЕЙСТВИЕМ НЕЙРОНОПОДОБНОЙ АКТИВНОСТИ И ШУМА

September 2020

·

43 Reads

Nanoindustry Russia

Рассмотрены основные явления на микро- и макроскопическом уровне, ответственные за динамический отклик металл-оксидных мемристивных устройств, важный для их применения в новых нейросетевых архитектурах. Результаты проведенных экспериментов показывают конструктивную роль шума в мемристивном эффекте.


Резистивное переключение в структурах металл-оксид-полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния
  • Article
  • Full-text available

June 2020

·

279 Reads

Журнал технической физики

The self-assembled GeSi nanoislands built into the semiconductor-insulator interface of the MOS-structures based on Si(001) with SiOx and ZrO2(Y) oxide layers deposited by magnetron sputtering have been shown to initiate bipolar resistive switching without preliminary electroforming. The current-voltage curves and electrical parameters of the MOS-structures in the high-resistance state and in the low-resistance state have been studied. A change in the built-in charge in the dielectric near the insulator-semiconductor interface during resistive switching is established and associated with the formation and destruction of conductive filaments. The light-stimulated resistive switching of MOS-structures with ZrO2(Y) layer from the high-resistance to the low-resistance state is observed, which is associated with an increase in the conductivity of the space-charge region in the Si substrate due to interband optical absorption in Si, which causes a voltage redistribution between Si and ZrO2(Y) layer. A difference in the shape of the small signal photo-voltage spectra of MOS-structures is found in the spectral region of intrinsic photosensitivity of Si in the high and low resistance states due to the leakage of photo-excited charge carriers from Si to the metal electrode through filaments.

Download

Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами

January 2020

·

62 Reads

Журнал технической физики

Изучены особенности резистивного переключения в экспериментальных образцах мемристоров на основе тонких пленок стабилизированного иттрием диоксида циркония треугольными импульсами, на которые накладывался высокочастотный синусоидальный сигнал. Обнаружено уменьшение значений напряжения переключения мемристора из низкоомного состояния в высокоомное и обратно, а также увеличение отношения значений силы тока через мемристор в указанных состояниях и долговременной стабильности тока при наложении синусоидального сигнала на переключающие импульсы по сравнению с переключениями треугольными импульсами без синусоидального сигнала. Улучшение характеристик резистивного переключения связано с резонансной активацией миграции ионов кислорода по вакансиям в переменном внешнем электрическом поле. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, стабилизированный диоксид циркония, резонансная активация.


Исследование резонансной активации резистивного переключения в пленках ZrO-=SUB=-2-=/SUB=-(Y) методом атомно-силовой микроскопии

January 2020

·

74 Reads

Журнал технической физики

Local resistive switching in the contact of an atomic force microscope (AFM) probe to ZrO2(Y) films (including those with a Ta2O5 sublayer) on conducting substrates was studied. Switching was performed by triangular voltage pulses with the imposition of a high-frequency sinusoidal signal. The dependence of the difference in the current strength through the AFM probe in the low-and high-resistance States of dielectric films on the frequency of the high-frequency sinusoidal signal was observed at frequencies corresponding to the characteristic frequency of jumps of O2 ions - for oxygen vacancies in ZrO2 (Y) and Ta2O5 at 300K. The effect is associated with resonant activation of O2 ion migration along with oxygen vacancies by an external high-frequency electric field.


Citations (5)


... Далее методом магнетронного осаждения через маску наносились верхние электроды Ag толщиной ∼ 40 nm. Детали процесса роста ЭС Ge и формирования мемристорных структур Ag/Ge/Si, а также результаты исследований их структуры и электрических свойств приведены в [10][11][12]. Лунки травления, заполненные Ag, которые выступают в роли концентраторов электрического поля, облегчают дрейф ионов Ag + вдоль дислокаций и тем самым стимулируют РП [6]. Для исследования РП в отдельных дислокациях при помощи АСМ слой Ag удалялся с поверхности ЭС Ge распылением под скользящим углом падения (∼ 3 • ) ионами Ar + с энергией 2 keV на установке для ионной полировки Gatan Precision Ion Polishing System (PIPS). ...

Reference:

Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии
Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
  • Citing Article
  • January 2020

Журнал технической физики

... В настоящей работе локальное РП в пленках ZrO 2 (Y) изучалось методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) [13] с использованием треугольных переключающих импульсов, на которые накладывались радиоимпульсы высокочастотного (ВЧ) синусоидального напряжения, частота которого значительно (минимум на 2 порядка величины) превышала частоту следования переключающих импульсов. Ранее было обнаружено, что наложение ВЧ синусоидального сигнала на переключающие импульсы улучшает характеристики РП в пленках ZrO 2 (Y) [14]. Обнаруженный эффект был связан с резонансной активацией миграции (дрейфа/диффузии) ионов O 2− в ZrO 2 (Y) переменным ВЧ электрическим полем. ...

Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO-=SUB=-2-=/SUB=-(Y) методом атомно-силовой микроскопии
  • Citing Article
  • January 2019

Журнал технической физики

... С использованием указанного эффекта возможно создание различных новых оптоэлектронных устройств, например, детекторов изображения с памятью и т. п. Кроме того, с заряжением НЧ вследствие фотоэмиссии электронов из них было связано обнаруженное ранее усиление эффекта резистивного переключения (РП) в подобных нанокомпозитных пленках при фотовозбуждении на длине волны ПР [5,6]: заряжение НЧ приводит к локальному усилению напряженности электрического поля вблизи поверхности НЧ, что, в свою очередь, стимулирует рост проводящих филаментов между электродами мемристорной структуры. ...

Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение в пленках ZrO 2 (Y) с наночастицами Au методом туннельной атомно-силовой микроскопии
  • Citing Article
  • January 2019

Поверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования

... Эти отношения значительно различались при каждом новом переключении. То же самое можно сказать о достигаемых значениях величины R p0 , которая определяет шунтирующее сопротивление структуры [19][20][21]. После стабилизации переключения эти отношения значительно уменьшались и также стабилизировались (строки 3, 4 в таблице). Следует подчеркнуть независимость величины R s ∞ от состояния мемристора после стабилизации переключения, которое при больших частотах определяется сопротивлением верхнего электрода и свидетельствует об отсутствии ярко выраженных электрохимических процессов на этом электроде. ...

Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si3N4, изготовленных на основе проводящей подложки Si

Журнал технической физики

... В работах [13][14][15] показана возможность управления параметрами резистивного переключения с помощью облучения. Следует отметить, что стабилизированный оксидом иттрия диоксид циркония (yttria stabilized zirconia, YSZ) широко применяется для создания мемристивных структур в качестве функционального оксидного слоя [16]. Последнее связано с возможностью вариации концентрации кислородных вакансий, участвующих в процессе формирования филаментов, путем изменения концентрации оксида иттрия. ...

Особенности переключения мемристорных структур в высокоомное состояние пилообразными импульсами
  • Citing Article
  • January 2018

Журнал технической физики