Hongxing Jiang’s scientific contributions

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Publications (2)


Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials VIII
  • Article

June 2004

·

8 Reads

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering

Kong-Thon Tsen

·

Jin-Joo Song

·

Hongxing Jiang

Citations (1)


... Un phénomène plus long se déroule en parallèle : une partie de l'énergie est transférée à la maille, augmentant sa température, générant des porteurs, et augmentant ainsi la réflectivité (courbe rouge). Les électrons se recombinent par absorption et émission de phonons au bout d'un temps τ d [107]. 97 FIGURE 3.26 -Schéma des phénomènes responsables de l'augmentation de la réflectivité dans la couche de 78,5 nm d'épaisseur, pour des orientations cristallines où l'absorption est maximale. ...

Reference:

Caractérisation du phosphore noir pour des applications optoélectroniques hyperfréquences
Ultrafast Phenomena in Semiconductors V
  • Citing Article
  • June 2003

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering