Д.О. Филатов’s scientific contributions

What is this page?


This page lists works of an author who doesn't have a ResearchGate profile or hasn't added the works to their profile yet. It is automatically generated from public (personal) data to further our legitimate goal of comprehensive and accurate scientific recordkeeping. If you are this author and want this page removed, please let us know.

Publications (30)


Резистивное переключение мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур p-Si/p-Ge/n-=SUP=-+-=/SUP=--Si(001) с Ru- и Ag-электродами
  • Article

January 2023

·

15 Reads

Письма в журнал технической физики

Д.О. Филатов

·

О.Н. Горшков

·

В.Г. Шенгуров

·

[...]

·

А.В. Круглов

Исследованы электрические характеристики лабораторных макетов мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур p-Si/p-Ge/n ⁺ -Si(001) с Ag- и Ru-электродами. Мемристоры с Ru-электродами демонстрируют меньшее напряжение электроформовки и большее отношение токов в состояниях с низким и высоким значениями сопротивления по сравнению с мемристорами с Ag-электродами. Также в мемристорах с Ru-электродами обнаружена инверсия полярности резистивного переключения. Указанные эффекты обусловлены большей подвижностью ионов Ru ³⁺ в прорастающих дислокациях в слоях p-Si/p-Ge вследствие их меньшего ионного радиуса. Ключевые слова: мемристор, эпитаксиальные слои SiGe, резистивное переключение.



Влияние разориентации подложки на свойства p-НЕМТ наногетероструктур на основе GaAs, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии

January 2022

·

8 Reads

Журнал технической физики

As one of the approaches to improve p-HEMT, we studied the effect of misorientation of GaAs substrates on the surface morphology, structure, and electrical properties of pseudomorphic heterostructures, as well as the parameters of transistors based on them. In a single technological cycle, heterostructures were formed on vicinal substrates with (100) orientation and misoriented by 2° to (110) by the method of MOCVD (MOCVD) in a single technological cycle. It has been established that on misoriented substrates, the growth of structurally consistent and stressed epitaxial layers occurs according to a layered-step mechanism with the formation of macrosteps. On vicinal substrates, the formation of monatomic growth steps was observed. The comparative characteristics of p-HEMT obtained using two types of substrates are considered.


Изучение оптически наведенного заряда наночастиц Au в пленках ZrO-=SUB=-2-=/SUB=-(Y) методом сканирующей Кельвин-зонд микроскопии

January 2022

·

11 Reads

Журнал технической физики

Accumulation and relaxation of optically induced electric charge in ZrO2(Y) films with embedded single-layered arrays of Au nanoparticles (NPs) of 2-3 nm in diameter have been studied subject to the depth of the Au NPs in the ZrO2(Y) layers and the optical excitation power at the wavelengths of 473 and 633 nm by Scanning Kelvin Probe Microscopy (SKPM).


Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO-=SUB=-2-=/SUB=-(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge

January 2022

·

2 Reads

·

1 Citation

Физика и техника полупроводников

The effect of optical radiation in the visible and near-infrared bands on resistive switching of a MOS stack based on ZrO2(Y) film on an n-Si(001) substrate with self-assembled Ge nanoislands on its surface has been studied. An increase in the resistive switching logical gap was observed upon the photoexcitation, in particular, when the photon energies were smaller than the Si band gap. The effect was associated with the impact of the photovoltage at the Si/Ge/ZrO2(Y) interface. In the latter case, the effect is associated with spatially indirect interband optical transitions in Ge nanoislands.



МЕМРИСТОРЫ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР SIGE

October 2021

·

9 Reads

Nanoindustry Russia

Получены лабораторные макеты мемристоров на основе структур Ag / Ge / Si(001) и Ag / Si / Ge / Si(001), принцип действия которых основан на электромиграции ионов Ag+ по дислокациям, прорастающим через слои структур. Исследованы особенности механизма резистивного переключения и процессы деградации мемристоров.


Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO-=SUB=-2-=/SUB=-(Y)

January 2021

·

12 Reads

Письма в журнал технической физики

In thin ZrO2 (Y) / Ni films, with used of an atomic force microscope (AFM) probe, conductive ferromagnetic filaments of nanometer sizes, consisting of Ni atoms, are formed. Memristor structures based on such films, the upper electrode of which was the AFM probe, demonstrated bipolar-type resistive switching (RP) associated with the destruction and reduction of Ni filaments. The area where the conducting filament emerges on the surface of the ZrO2 (Y) film manifested itself in the magnetic force image as a single-domain ferromagnetic particle.


Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO-=SUB=-2-=/SUB=-(Y) с наночастицами Au

January 2021

·

20 Reads

Физика и техника полупроводников

Исследовано влияние оптического излучения видимого диапазона на резистивное переключение в МДП-структурах ITO/ZrO 2 (Y)/n-Si, в том числе с наночастицами Au, встроенными в слой ZrO 2 (Y). Обнаружено, что зависимость ширины логического коридора резистивных состояний от интенсивности фотовозбуждения имеет пороговый характер. При увеличении интенсивности фотовозбуждения выше порогового значения наблюдалось уменьшение ширины логического коридора, предположительно, связанное с разогревом активных слоев МДП-структуры при межзонном поглощении излучения в Si-подложке. Обнаружено подавление резистивных переключений при фотовозбуждении на длине волны 650 нм (соответствующей плазмонному резонансу в наночастицах Au) за счет плазмонного оптического поглощения в наночастицах. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, МДП-структуры, стабилизированный диоксид циркония, наночастицы Au, фоточувствительность.


Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии

January 2021

·

13 Reads

Письма в журнал технической физики

Resistive switching effect of separate dislocations in Ag/Ge/Si(001) memristor structures was demonstrated experimentally by Conductive Atomic Force Microscopy. Hysteresis loops typical for bipolar resistive switching were observed in the current-voltage curves of the dislocations due to formation and rapture of Ag filament in the Ge layer as a result of Ag+ ion drift along the dislocation core.


Citations (5)


... Далее методом магнетронного осаждения через маску наносились верхние электроды Ag толщиной ∼ 40 nm. Детали процесса роста ЭС Ge и формирования мемристорных структур Ag/Ge/Si, а также результаты исследований их структуры и электрических свойств приведены в [10][11][12]. Лунки травления, заполненные Ag, которые выступают в роли концентраторов электрического поля, облегчают дрейф ионов Ag + вдоль дислокаций и тем самым стимулируют РП [6]. Для исследования РП в отдельных дислокациях при помощи АСМ слой Ag удалялся с поверхности ЭС Ge распылением под скользящим углом падения (∼ 3 • ) ионами Ar + с энергией 2 keV на установке для ионной полировки Gatan Precision Ion Polishing System (PIPS). ...

Reference:

Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии
Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
  • Citing Article
  • January 2020

Журнал технической физики

... В настоящей работе локальное РП в пленках ZrO 2 (Y) изучалось методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) [13] с использованием треугольных переключающих импульсов, на которые накладывались радиоимпульсы высокочастотного (ВЧ) синусоидального напряжения, частота которого значительно (минимум на 2 порядка величины) превышала частоту следования переключающих импульсов. Ранее было обнаружено, что наложение ВЧ синусоидального сигнала на переключающие импульсы улучшает характеристики РП в пленках ZrO 2 (Y) [14]. Обнаруженный эффект был связан с резонансной активацией миграции (дрейфа/диффузии) ионов O 2− в ZrO 2 (Y) переменным ВЧ электрическим полем. ...

Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO-=SUB=-2-=/SUB=-(Y) методом атомно-силовой микроскопии
  • Citing Article
  • January 2019

Журнал технической физики

... Сканирующая Кельвин-зонд микроскопия (СКЗМ) является мощным методом исследования процессов локальной аккумуляции электрического заряда в подобных нанокомпозитных системах [2,3]. В [4] обнаружено локальное заряжение пленки ZrO 2 (Y) со встроенными в ее толщу НЧ Au при фотовозбуждении на длине волны плазмонного резонанса (ПР) в НЧ Au. ...

Изучение процессов локальной аккумуляции заряда в пленках ZrO 2 (Y) с наночастицами Au методом кельвин-зонд-микроскопии
  • Citing Article
  • January 2019

Поверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования

... С использованием указанного эффекта возможно создание различных новых оптоэлектронных устройств, например, детекторов изображения с памятью и т. п. Кроме того, с заряжением НЧ вследствие фотоэмиссии электронов из них было связано обнаруженное ранее усиление эффекта резистивного переключения (РП) в подобных нанокомпозитных пленках при фотовозбуждении на длине волны ПР [5,6]: заряжение НЧ приводит к локальному усилению напряженности электрического поля вблизи поверхности НЧ, что, в свою очередь, стимулирует рост проводящих филаментов между электродами мемристорной структуры. ...

Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение в пленках ZrO 2 (Y) с наночастицами Au методом туннельной атомно-силовой микроскопии
  • Citing Article
  • January 2019

Поверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования

... В работах [13][14][15] показана возможность управления параметрами резистивного переключения с помощью облучения. Следует отметить, что стабилизированный оксидом иттрия диоксид циркония (yttria stabilized zirconia, YSZ) широко применяется для создания мемристивных структур в качестве функционального оксидного слоя [16]. Последнее связано с возможностью вариации концентрации кислородных вакансий, участвующих в процессе формирования филаментов, путем изменения концентрации оксида иттрия. ...

Особенности переключения мемристорных структур в высокоомное состояние пилообразными импульсами
  • Citing Article
  • January 2018

Журнал технической физики