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    ABSTRACT: Growth conditions and properties of AlxGa1-xAs (0.1 ≤ � ≤O.3) using metalorganic vapour phase epitaxy (MO-VPE) are investigated. N-type is achieved either by silicon or by selenium doping. Properties of the layers are evaluated by Hall effect, cathodoluminescence and photoluminescence. It is shown that selenium doping leads to luminescent material : when x = O.1, the efficiency is only a factor of 2 smaller than for GaAs. Deposition temperature is a critical parameter : increasing the growth temperature yields more luminescent Alx Ga1-x As.
    No preview · Article · Jul 1981 · Journal of Electronic Materials
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    ABSTRACT: GaAlAs single heterojunctions are shown to be very efficient red light-emitting diodes (LED's). The high electron injection efficiency, high luminescence internal quantum efficiency (excellent material electronic quality), and low absorption lead to a high external quantum efficiency of electroluminescence (1 percent at 650 nm for uncoated devices). The absence of saturation of the brightness at high current densities allows the use of these GaAlAs LED's at high current pulses (for displays, screens) as well as at low CW current (low power consumption LED's).
    No preview · Article · May 1981 · IEEE Transactions on Electron Devices
  • B. Legros · G. R. David · M. C. Boissy · J. Lebailly · T. P. Ngo · E. Fabre
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    ABSTRACT: Wafers of multicrystalline silicon grown by casting techniques have been investigated in as-grown condition and after various heat treatments. In as-grown material, the electron diffusion length is shown to vary from 20 to 90 microns for different types of crystalline structure. The columnar structure behaves well under heat treatment, whereas in the transcrystalline structure the electron diffusion length drops to small values even with a strong getter effect. The transition structure is shown to be of variable quality. The conversion efficiency of large area (100 sq cm) cells is slightly above 8 percent as compared with 10 percent for small area cells restricted to the columnar structure.
    No preview · Article · Jan 1981
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    ABSTRACT: Using a time-resolved cathodoluminescence technique, we have investigated the radiative recombination in highly doped (Ga, Al)As epitaxial layers (the dopant was Si or Ge). We have realized in homogeneous Si-doped epitaxial (Ga, Al)As layers the conditions of large luminescence efficiency and great decay time usually observed in L.E.D. obtained by double liquid phase epitaxy of (Ga, Al)As on GaAs substrate. The phenomena are well explained if we consider the effect of charge impurity fluctuations in compensated semiconductors on the density of state tails at the edges of the band-gap. Au moyen d'une expérience de cathodoluminescence pulsée, nous avons étudié les recombinaisons radiatives dans des couches épitaxiées (Ga, Al) As fortement dopé ; le dopant est Si ou Ge. Dans des couches homogènes dopées au silicium nous avons obtenu les conditions de fort rendement lumineux et de longue durée de vie observées dans les diodes électroluminescentes réalisées par double épitaxie en phase liquide de (Ga, Al)As sur substrat GaAs. Les phénomènes sont bien expliqués en considérant l'effet des fluctuations des impuretés chargées dans les semiconducteurs fortement compensés sur les queues de densité d'états en bords de bande interdite.
    Full-text · Article · Jan 1980 · Revue de Physique Appliquée
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    J. Varon · M. C. Boissy · J. Lebailly
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    ABSTRACT: The need for light sources and detectors in optical communications has stimulated the evaluation of physical properties of the GaAs1- xSbx/Ga1-yAl yAs1-xSbx double heterojunction. In this paper the research is limited to the composition range 0 ≤ x ≤ 0.25, which corresponds to the spectral range 0.9-1.2 μm, specially attractive for optical fiber communications because of the lowest absorption and dispersion losses. In this research the metallurgical study is an important feature ; during the LPE growth, lattice matching has to be performed between the GaAs substrate and the ternary active layer. This is carried out by a particular step-greading technic where the compositional steps have to be progressively increased from the bottom to the top of the buffer layer. The results of the material characterization and of the measurements of properties of the double heterojunction devices thus performed are compatible and point out that the radiative transition efficiency decreases as the antimony content in the active layer is increased. This is ascribed to the degradation of the crystalline quality occurring when the lattice mismatch is too large to be solved by the step-grading buffer layer. So that the working range of GaAsSb is reduced to 0.9 to 1.1 μm where its electroluminescence performances are quite satisfactory and justify the interest of this compound. L'étude des hétérostructures GaAs1-xSb x/Ga1-yAlyAs 1-xSbx se justifie par le grand intérêt que présentent ces composés en particulier dans le domaine des transmissions par fibre optique. La gamme de compositions explorée dans cet article (0 ≤ x ≤ 0,25) est à même de conduire à des dispositifs dont le domaine d'utilisation se trouve dans la bande spectrale 0,9 à 1,2 μm, ce qui permet de bénéficier des propriétés de faible absorption et surtout de faible dispersion des fibres. La croissance de ces matériaux se fait par épitaxie liquide, au cours de laquelle on doit réaliser une adaptation de maille entre le substrat de GaAs et la couche active de GaAsSb. La forme optimale de cette couche tampon est une gradation par sauts dans laquelle l'écart de composition entre deux couches successives doit augmenter progressivement en partant du substrat. La caractérisation du matériau ternaire ainsi élaboré et l'analyse des performances des dispositifs réalisés à l'aide de l'hétérostructure se rejoignent et mettent en évidence une décroissance de l'efficacité des transitions radiatives lorsque la composition en antimoine de la couche active augmente. On l'explique par la dégradation de la qualité cristalline du matériau lorsque le désaccord de maille devient trop important pour être totalement pris en charge par la couche tampon. Ceci conduit à limiter le domaine d'utilisation du GaAsSb entre 0,9 et 1,1 μm, intervalle où ses bonnes performances en électroluminescence le désignent comme un matériau tout à fait adapté à cet usage.
    Full-text · Article · Jan 1978 · Revue de Physique Appliquée
  • M. C. Boissy

    No preview · Article · Jan 1978 · Journal of The Electrochemical Society