Publications (1)0 Total impact
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V Carreau,
S Maitrejean,
M Verdier,
A Roule,
Y Bréchet,
E Deronzier,
T Morel,
A Toffoli,
V Delaye, C Carabasse,
G Passemard
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ABSTRACT: RESUME: Pour les générations futures des circuits intégrés, il est nécessaire d'obtenir des lignes métalliques conductrices dont les dimensions critiques sont décananométriques. On observe alors de très faibles tailles de grain qui entraînent une augmentation de la résistivité et une dégradation des performances. Les études présentées ici portent sur l'analyse des mécanismes de croissance de grain dans les lignes fines et dans les films minces de Cu déposé par électrochimie. Des mesures de taille de grain et d'évolution de la résistivité sont présentées. Des régimes de croissance distincts fonctions de la taille des motifs et de la température de recuit sont identifiés. MOTS-CLES : Cuivre, Electrochimie, milieux confinés, taille de grain, mesures électriques.
MATERIAUX. 01/2006;
