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CHARACTERIZATION OF SURFACE STATES AT A SEMICONDUCTOR ELECTROLYTE INTERFACE BY ELECTROLYTE ELECTROREFLECTANCE SPECTROSCOPY

http://dx.doi.org/10.1051/jphyscol:19831032 01/1983; DOI: 10.1051/jphyscol:19831032

ABSTRACT Les états de surface aux interfaces semiconducteur-liquide sont caractérisés par électroréflectance électrolytique supra- et sub-bande interdite. Les états de surface peuvent se manifester, soit par des transitions optiques directes comme dans le cas de n - TiO2 - électrolyte aqueux, soit par leur effet sur la réponse du niveau de Fermi à de faibles variations du potentiel d'électrode comme dans le cas de monocristaux CdIn2Se4 dans des solutions de polysulfures. Supra bandgap and subband gap Electrolyte Electroreflectance is being used to characterize surface states at semiconductor liquid interfaces. The surface states can manifest themselves either through direct optical transitions as in the case of n - TiO2 - aqueous electrolyte interface or through their effect on the response of the Fermi level to small changes in the electrode potential as in the case of single crystal CdIn2Se4 in polysulfide solutions.

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May 29, 2014