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極微細半導体素子のしきい値電圧ばらつき解析のための離散不純物モデルの構築

Source: OAI

ABSTRACT 研究課題番号: 14550315 研究代表者: 佐野伸行 Si-MOSFET に対する微細化はいまなお止まる事を知らない。「集積回路(LSI)のチップ当たり素子数が約3 年で4 倍になる(=素子サイズが約3 年ごとに半分になっていく)」という経験的な「ムーアの法則」は ... http://www.tulips.tsukuba.ac.jp/limedio/dlam/B23/B2355387/1.pdf

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